بهینه کردن راندمان الکترونهشت آرایه ی نانوسیم های نیکل با تغییر ولتاژ نازک سازی و شرایط الکترونهشت
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
- author پروانه قجری
- adviser عبدالعلی رمضانی محمد الماسی کاشی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1392
abstract
در این تحقیق، نانوسیم های مغناطیسی نیکل به روش الکترونهشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دو مرحله ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 16، 14، 12، 10 و 8 ولت نازک-سازی شد. اثر جریان های 10 و 20 میلی آمپر در ولتاژهای نازک سازی و زمان های خاموشی متفاوت بر درصد راندمان الکترونهشت، درصد پر شدگی حفره ها وکیفیت نانوسیم های نیکل توسط آنالیزهای vsm و xrd مورد مطالعه قرار گرفت. تحت جریان 20 میلی آمپر، با افزایش ولتاژ نازک سازی به علت افزایش توانایی لایه سدی در حفظ یکسو کنندگی جریان در ضخامت-های بالاتر و نیز با افزایش زمان خاموشی با فراهم نمودن زمان کافی برای تثبیت یون های نهشت شده و خروج گرمای تولید شده در حین انباشت راندمان الکترونهشت بهبود می یابد. راندمان الکترونهشت، کیفیت نانوسیم ها و پرشدگی حفره ها تحت جریان 10 میلی آمپر نسبت به جریان 20 میلی آمپر افزایش یافت. بالاترین راندمان الکترونهشت تحت جریان های 20 و 10 میلی آمپر به ترتیب 80% و 88% محاسبه گردید. بهینه شرایط جهت بهبود راندمان الکترونهشت تحت جریان 20 میلی آمپر ولتاژهای نازک سازی 16-12 ولت و زمان های خاموشی 2/19-6/9 میلی ثانیه به دست آمد، در حالی که تحت جریان 10 میلی آمپر، به ترتیب 16-14 ولت و 6/9-8/4 میلی-ثانیه مشخص شد. طبق نتایج حاصل از xrd افزایش راندمان الکترونهشت، تاثیری در میزان بلورینگی نانوسیم های نیکل ندارد. بررسی نوع قطبش اکسید/ احیا نسبت به احیا/ اکسید نشان داد که نوع قطبش نیز تاثیری در راندمان الکترونهشت و کیفیت نانوسیم های نیکل و پر شدگی حفره ها ندارد.
similar resources
بررسی تغییرات پارامترهای ساختاری نانوسیم‌های مغناطیسی نیکل بر بازده الکترونهشت
In this work, magnetic Ni nanowire arrays were ac-pulse electrodeposited into the anodic aluminum oxide (AAO) template fabricated by the common two-step anodization technique. The barrier layers at the bottom of the pores were exponentially thinned in a non-equilibrium anodization process to 8, 12, 16 and 20 V. These were fabricated using the constant of 15 mA deposition current, 48 mS off-tim...
full textتاثیر دما، اسیدیته، جریان الکترونهشت و زیر لایه ی مس بر خواص الکتریکی لایه ی سدی آلومینا و راندمان الکترونهشت نانوسیم های مغناطیسی آهن
نانوسیمها ساختاری یک بعدی هستند که به علت نسبت سطح به حجم بالا در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته اند. در این میان، نانوسیم های مغناطیسی با توجه به کاربردهای مختلفی که در صنایع الکترونیک، حافظههای مغناطیسی، بیوتکنولوژی، پزشکی و داروسازی دارند، از اهمیت ویژهای برخوردار هستند. بر این اساس در این پروژه نانوسیم‌های مغناطیسی آهن در قالب آلومینای آندی توسط روش الکترونهشت پالسی ساخته شده اند...
15 صفحه اولاثر زیر لایه، جریان و دمای الکترونهشت بر بهره الکترونهشت، خواص مغناطیسی و میکروساختار نانوسیم های ni
چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغ...
15 صفحه اولاثز نرخ رشد در الکترونهشت با پتانسیلنا متقارن بر میکروساختار و خواص مغناطیسی نانوسیم های آهن
چکیده: پتانسیل کاربردی، اهمیت و ضرورت ساخت نانوسیم های مغناطیسی دارای ناهمسانگردی عمودی و نیز روش های متنوع آماده سازی چنین ساختار هایی به همراه پارامتر هایی که بر این ساختار اثر گذارند، باعث شده تا محققان زیادی خواص مغناطیسی نانوسیم ها را مورد مطالعه قرار دهند. از اینرو در فعالیت حاضر، پس از ساخت قالب اکسید آلومینای آندی (aao) خاصی (حفره های موازی به قطر تقریبی 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای ...
15 صفحه اولبررسی تاثیر ضخامت لایه سدی و دمای بستر بر راندمان الکترونهشت و خواص مغناطیسی نانو سیم های نیکل
در این پژوهش، نانوسیم¬های مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دومرحله¬ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره¬ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازک سازی شد. برای هر ولتاژ نازک¬سازی 5 نمونه با شرایط الکتروانباشت، جریان ثابت 10 میلی آمپر، زمان خاموشی 48 میلی ثانیه با دماهای بستر 10، 20، 30، 40 و 50 درجه...
15 صفحه اولاثرالکترونهشت تناوبی نامتقارن در محلول های با ph متفاوت برساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانو سیم های co
آرایه نانو سیم های کبالت به روش الکترو نهشت شیمیایی متناوب در قالب آلومینای حفره دار ساخته شد و تاثیر پارامترهای فرکانس الکترونهشت و ph الکترولیت در الکترو نهشت با ولتاژهای کاهش- اکسایش متقارن 18-18 و نامتقارن 18-12 ولت مورد مطالعه قرار گرفت. بررسی خواص مغناطیسی و میکروساختاری آرایه نانو سیم ها نشان داد که رابطه مستقیم بین مغناطش اشباع بر واحد سطح و وادارندگی و نسبت مربعی نمونه ها وجود دارد به...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023